FET 類型
P 通道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)
30 V
漏源電壓（Vdss）
30 V
不同 Vds (Vgs=0) 時電流 - 漏極 (Idss)
1.5 mA @ 15 V
不同 Id 時電壓 - 截止 (VGS off)
800 mV @ 10 nA
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
8pF @ 10V（VGS）
電阻 - RDS(On)
300 Ohms
功率 - 最大值
300 mW
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝
SOT-23（TO-236AB）
